新方法可对半导体晶体生长进行编程——《自然》
《自然》报道了一种使用蚀刻通量的方法，该方法可控制二维半导体晶体开始生长的位置。该方法限制晶体核形成的区域，并能够对大型半导体材料单晶进行空间编程生长。
控制晶体成核
半导体晶体由非常微小的晶核生长而来。要精确确定其形成位置很困难，尽管这种晶核的位置可能影响晶体的性质。
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这种新方法旨在限制晶核形成的位置。这使得控制晶体生长起点的空间位置成为可能。
二维半导体研究
《自然》2026年10月7日发表在Research Briefings栏目中的文章总结了Pak及其合作者的研究。该研究题为“Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux”，致力于通过蚀刻通量实现二维半导体的空间确定性成核。
